Trockenpumpen-Heliumlecksucher für Wafer-Lecksuche SFJ-231D
Technische Parameter des Heliumlecksuchers SFJ-231D
| Produktname |
Heliumlecksucher SFJ-231D |
| Minimal nachweisbare Leckrate (Pa·m³/s) / Vakuummodus |
5,0*10-13 Pa·m3/s |
| Minimal nachweisbare Leckrate (Pa·m³/s) / Schnüffelmodus |
5,0*10-9 Pa·m3/s |
| Maximal zulässiger Lecksuchdruck (Pa) |
1500 |
| Ansprechzeit |
<1s |
| Startzeit |
≤2min |
| Nachweisbare Qualität |
2, 3,4 (H2, He3, He4) |
| Mensch-Maschine-Schnittstelle |
7" Farb-LCD-Touchscreen |
| Ionenquelle |
2 Stück, iridiumbeschichtetes Yttriumoxid, automatische Umschaltung |
| E/A-Eingangs-/Ausgangsschnittstelle |
8 Eingänge und 8 Ausgänge |
| Kommunikationsschnittstelle |
RS232/485, USB*2 |
| MES-Schnittstelle |
Standard |
| Lecksuchanschluss |
DN25KF |
| Stromversorgung |
AC220V, 50Hz/60Hz |
| Betriebstemperatur |
0~40°C |
| Sprache |
Englisch |
| Leckratenanzeige |
Abbildung, Balkendiagramm, Kurvendiagramm |
| Abmessungen |
645*678*965mm |
Anwendung des SFJ-231D Heliumlecksuchers für den Wafer
Bei der Helium-Massenspektrometrie-Lecksuchtechnologie hängt die Anwendung von Trockenpumpen (ölfreie Trocken-Vakuumpumpen) hauptsächlich von den Arbeitsbedingungen des zu prüfenden Geräts, den Sauberkeitsanforderungen und den technischen Anforderungen der Helium-Massenspektrometrie-Lecksucher (z. B. Wayeal SFJ-231D) ab.
Detektionsmethode: Vakuum-Helium-Sprühverfahren (Hochsensibilitätsmodus)
1: Systemevakuierung und Basislinienkalibrierung
Evakuierung auf Basisdruck: Ätzkammer: ≤0,1 Pa (Trockenpumpe + Molekularpumpenkombination); CVD/PVD-Kammer: ≤10⁻³ Pa (höhere Anforderungen an Beschichtungsanlagen).
Lecksucherkalibrierung: Verwenden Sie eine Standardleckreferenz (z. B. 1×10⁻⁷ Pa·m³/s), um das SFJ-231D zu kalibrieren und die Linearität der Instrumentenreaktion zu überprüfen.
Schritt 2: Helium-Sprühdetektion
Detektionsbereich: O-Ring-Nuten, Schraubenlöcher, VCR/VCO-Metallabdichtungen, Schweißverbindungen, Keramikisolatoren, Kupferdichtungen, Balganschlüsse.
Helium-Sprühvorgang:
Verwenden Sie eine Hand-Helium-Sprühpistole (mit 0,1 mm Feinabstimmungsdüse) in 3-5 mm Abstand vom Detektionspunkt. Bewegen Sie sich mit einer Geschwindigkeit von 5 cm/s und verweilen Sie 2-3 Sekunden pro Punkt (SFJ-231D Ansprechzeit <1 Sek.). Stellen Sie den Heliumdruck auf 0,2-0,3 MPa ein, um Luftstörungen zu vermeiden.
Schritt 3: Leckstellenbestimmung und -aufzeichnung
Leckrate: Zulässige Leckrate für Halbleiteranlagen: Typischerweise ≤1×10⁻⁹ Pa·m³/s (gemäß SEMI-Standards).
Datenaufzeichnung: Wenn das SFJ-231D einen Leckratenpeak anzeigt, markieren Sie die Leckstelle mit einem Textmarker.
Speichern Sie Leckratenkurven und Standortdaten (Export über USB).
Schritt 4: Nachprüfung und Verifizierung
Führen Sie ein zweites Heliumsprühen auf identifizierten Lecks durch, um die Wiederholbarkeit zu bestätigen.
Nachdem größere Lecks repariert wurden, evakuieren Sie erneut auf den Basisdruck und führen Sie eine vollständige Nachprüfung durch.
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